型號(hào): | BC558VI |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 30V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至92 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/4頁(yè) |
文件大小: | 286K |
代理商: | BC558VI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BC557C | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
BC558 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
BC556 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
BC556A | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
BC556B | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC558-X-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全稱(chēng):UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS |
BC558-X-T92-K | 制造商:UTC-IC 制造商全稱(chēng):UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS |
BC558ZL1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors |
BC558サ | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON TRANSISTORS |
BC559 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |