參數(shù)資料
型號： BC556B
廠商： Boca Semiconductor Corp.
英文描述： PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
中文描述： 進步黨硅外延平面晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： BC556B
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PDF描述
BC557 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC557A PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC557B PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC558 PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW
BC556 PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW
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參數(shù)描述
BC556B T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC556B,112 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK DLT PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC556B,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC556B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor
BC556B/D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors
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