型號(hào): | BC558 |
廠商: | Boca Semiconductor Corp. |
英文描述: | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
中文描述: | 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管 |
文件頁(yè)數(shù): | 3/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 286K |
代理商: | BC558 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
BC556 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
BC556A | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
BC556B | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
BC557 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
BC557A | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
BC558/E6 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:SMALL SIGNAL TRANSISTOR - Tape and Reel |
BC558_D81Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC558_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC558_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC558A | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Elektronische Bauelemente |