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參數(shù)資料
| 型號： | BC557C |
| 廠商： | Boca Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| 中文描述： | 進步黨硅外延平面晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 286K |
| 代理商： | BC557C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC558 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC556 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC556A | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC556B | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC557 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC557C AMO | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC557C,112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK DLT PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC557C,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC557C | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-92 |
| BC557C/E6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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