參數(shù)資料
型號： BC549
廠商： KEC Holdings
英文描述： EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (LOW NOISE AMPLIFIER)
中文描述： 外延平面NPN晶體管（低噪聲放大器）
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： BC549
1999 Apr 22
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistors
BC549; BC550
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC549 Small Signal Transistors (NPN)
BC650 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
BC650C TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
BC650CS TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
BC650S TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC549_99 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
BC549_J35Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT GENERAL PURPOSE XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC549_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC549A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC549A A1 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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