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參數(shù)資料
| 型號： | BC549 |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (LOW NOISE AMPLIFIER) |
| 中文描述： | 外延平面NPN晶體管（低噪聲放大器） |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | BC549 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Jun 20
1999 Apr 22
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC549; BC550
NPN general purpose transistors
book, halfpage
M3D186
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC549 | Small Signal Transistors (NPN) |
| BC650 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
| BC650C | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
| BC650CS | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
| BC650S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC549_99 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR |
| BC549_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT GENERAL PURPOSE XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC549_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC549A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| BC549A A1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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