參數(shù)資料
型號(hào)： BC546BAMO
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 65V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至92
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 166K
代理商： BC546BAMO
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC546 NPN SILICON RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC546A NPN general purpose transistors
BC546B NPN general purpose transistors
BC547CAMO TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC546C TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC546B-AP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 625mW, 65V, 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC546B-BP 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW
BC546BBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 65V 100mA HFE/450 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC546BG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC546BRL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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