型號(hào): | BC546B |
廠商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分類(lèi): | 功率晶體管 |
英文描述: | NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW |
中文描述: | 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁(yè)數(shù): | 3/5頁(yè) |
文件大小: | 166K |
代理商: | BC546B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BC546 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
BC546A | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
BC546B | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
BC546 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
BC546 | NPN general purpose transistor(NPN通用型晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC546B A1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC546B A1G | 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, 200A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 |
BC546B AMO | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC546B B1G | 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, 200A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 |
BC546B T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |