- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369421 > BC489RL1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BC489RL1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 80V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至92 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 304K |
| 代理商： | BC489RL1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC516 | PNP Darlington transistor(PNP達(dá)林頓晶體管) |
| BC516 | COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR |
| BC517RL1 | 8Gb Mass Storage - OBSOLETE |
| BC517S | NAND Flash Memory; Density: 8Gb; Organization: 1Gbx8; Bits/Cell: MLC; I/O: Common; Supply Voltage: 3.3V; Operating Temperature Range: 0° to +70°C; Package: 48-TSOP |
| BC517ZL1 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC489RL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC490 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC490/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High Current Transistor PNP |
| BC490_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Current Transistors |
| BC490A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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