參數(shù)資料
型號(hào)： BC489BZL1
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 80V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至92
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 304K
代理商： BC489BZL1
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PDF描述
BC489RL1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC516 PNP Darlington transistor(PNP達(dá)林頓晶體管)
BC516 COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR
BC517RL1 8Gb Mass Storage - OBSOLETE
BC517S NAND Flash Memory; Density: 8Gb; Organization: 1Gbx8; Bits/Cell: MLC; I/O: Common; Supply Voltage: 3.3V; Operating Temperature Range: 0° to +70°C; Package: 48-TSOP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC489BZL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC489G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC489L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC489RL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC489RL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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