參數(shù)資料
型號(hào): BC489
英文描述: NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述: NPN硅外延平面晶體管
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 304K
代理商: BC489
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC489BZL1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC489RL1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC516 PNP Darlington transistor(PNP達(dá)林頓晶體管)
BC516 COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR
BC517RL1 8Gb Mass Storage - OBSOLETE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC489/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High Current Transistor NPN
BC489_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Current Transistors NPN Silicon These are Pba??Free Devices
BC489A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC489AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC489AZL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2