參數(shù)資料
型號： BC369
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP medium power transistor
中文描述： 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 131K
代理商： BC369
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PDF描述
BC369-10 16Mb EDO/FPM - OBSOLETE
BC369-16 DIODE ZENER SINGLE 1000mW 4.7Vz 53mA-Izt 0.05 10uA-Ir 1Vr DO41-GLASS 5K/AMMO
BC369-25 PNP medium power transistor
BC373ZL1 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC373RL1 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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BC369_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -20V -1.5A HFE/375 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC369_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -20V -1.5A HFE/375 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC369_J35Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -20V -1.5A HFE/375 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC369_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -20V -1.5A HFE/375 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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