參數(shù)資料
型號: BC369-16
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: DIODE ZENER SINGLE 1000mW 4.7Vz 53mA-Izt 0.05 10uA-Ir 1Vr DO41-GLASS 5K/AMMO
中文描述: 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大?。?/td> 131K
代理商: BC369-16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC369-25 PNP medium power transistor
BC373ZL1 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC373RL1 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC381 TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C)
BC512 TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC369-25 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP medium power transistor;
BC369G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 25V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC369T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC369ZL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 25V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC369ZL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 25V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2