參數(shù)資料
型號(hào)： BC327ZL1
英文描述： MAX II CPLD 570 LE 144-TQFP
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 45V的五（巴西）總裁| 800mA的一（c）|至92
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
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代理商： BC327ZL1
1999 Apr 15
6
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
BC327
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
5.2
5.0
b
0.48
0.40
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
L
14.5
12.7
e
2.54
e1
1.27
L1
(1)
2.5
b1
0.66
0.56
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
SOT54
TO-92
SC-43
97-02-28
A
L
0
2.5
5 mm
scale
b
c
D
b
1
L1
d
E
Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
SOT54
e1
e
1
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC327 PNP SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR
BC327-25RL1 MAX 7000 CPLD 64 MC 100-TQFP
BC327-25ZL1 MAX 7000 CPLD 64 MC 100-TQFP
BC327-40 Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC327 Si-Epitaxial PlanarTransistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC327ZL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC328 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -800mA HFE/630 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC328/A 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:PNP General Purpose Transistors
BC328/E6 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-226AA
BC328/E7 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-226AA
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