參數(shù)資料
型號(hào): BC327ZL1
英文描述: MAX II CPLD 570 LE 144-TQFP
中文描述: 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 45V的五(巴西)總裁| 800mA的一(c)|至92
文件頁(yè)數(shù): 4/8頁(yè)
文件大小: 47K
代理商: BC327ZL1
1999 Apr 15
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
BC327
Fig.2 DC current gain; typical values.
BC327-16.
handbook, full pagewidth
0
10
1
50
100
150
200
MBH717
1
hFE
10
IC (mA)
10
2
10
3
VCE =
1 V
Fig.3 DC current gain; typical values.
BC327-25.
handbook, full pagewidth
0
10
1
100
200
300
400
MBH718
1
hFE
10
IC (mA)
10
2
10
3
VCE =
1 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC327 PNP SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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BC328 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -800mA HFE/630 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC328/A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PNP General Purpose Transistors
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BC328/E7 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-226AA