參數(shù)資料
型號： BC239
英文描述： NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： NPN硅外延平面晶體管
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： BC239
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
C
CBO
Collector Base
Capacitance
Emitter Base
Capacitance
Noise Figure
I
E
= 0
V
CB
= 10 V
f = 1MHz
4
6
pF
C
EBO
I
C
= 0
V
EB
= 0.5 V
f = 1MHz
12
pF
NF
I
C
= 0.2 mA
f = 1KHz
I
C
= 2 mA
for
BC107
for
BC107
Gr. A
for
BC107
Gr. B
for
BC108
for
BC108
Gr. A
for
BC108
Gr. B
for
BC108
Gr. C
V
CE
= 5 V
R
g
= 2K
V
CE
= 5 V
B = 200Hz
f = 1KHz
2
10
dB
h
ie
Input Impedance
4
3
4.8
5.5
3
4.8
7
K
K
K
K
K
K
K
h
re
Reverse Voltage Ratio
I
C
= 2 mA
for
BC107
for
BC107
Gr. A
for
BC107
Gr. B
for
BC108
for
BC108
Gr. A
for
BC108
Gr. B
for
BC108
Gr. C
V
CE
= 5 V
f = 1KHz
2.2
1.7
2.7
3.1
1.7
2.7
3.8
10
-4
10
-4
10
-4
10
-4
10
-4
10
-4
10
-4
h
oe
Output Admittance
I
C
= 2 mA
for
BC107
for
BC107
Gr. A
for
BC107
Gr. B
for
BC108
for
BC108
Gr. A
for
BC108
Gr. B
for
BC108
Gr. C
V
CE
= 5 V
f = 1KHz
30
13
26
30
13
26
34
μ
S
μ
S
μ
S
μ
S
μ
S
μ
S
μ
S
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
1 %
DCNormalized Current Gain.
Collector--emitterSaturationVoltage.
BC107/BC108
3/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC319 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
BC107C TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-206AA
BC107DCSM NPN
BC168A IC APEX 20KE FPGA 400K
BC168C IC FLEX 10KB FPGA 100K
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC239_98 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE
BC239A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BC239ABU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 100mA HFE/220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC239ATA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 100mA HFE/22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC239ATA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 100mA HFE/22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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