參數(shù)資料
型號(hào)： BC239
英文描述： NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： NPN硅外延平面晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 70K
代理商： BC239
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-Case
Thermal Resistance Junction-Ambient
Max
Max
200
500
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
for
BC107
V
CB
= 40 V
V
CB
= 40 V
for
BC108
V
CB
= 20 V
V
CB
= 20 V
I
C
= 10
μ
A
for
BC107
for
BC108
T
case
= 150
o
C
T
case
= 150
o
C
15
15
15
15
nA
μ
A
μ
A
μ
A
V
(BR)CBO
Collector-Base
Breakdown Voltage
(IE = 0)
50
30
V
V
V
(BR)CEO
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
(I
B
= 0)
I
C
= 10 mA
for
BC107
for
BC108
45
20
V
V
V
(BR)EBO
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
I
E
= 10
μ
A
for
BC107
for
BC108
6
5
V
V
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 10 mA
I
C
= 100 mA
I
B
= 0.5 mA
I
B
= 5 mA
70
200
250
600
mV
mV
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 10 mA
I
C
= 100 mA
I
B
= 0.5 mA
I
B
= 5 mA
750
950
mV
mV
V
BE(on)
Base-Emitter On
Voltage
I
C
= 2 mA
I
C
= 10 mA
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
550
650
700
700
770
mV
mV
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 2 mA
for
BC107
for
BC107
Gr. A
for
BC107
Gr. B
for
BC108
for
BC108
Gr. A
for
BC108
Gr. B
for
BC108
Gr. C
I
C
= 10
μ
A
for
BC107
for
BC107
Gr. A
for
BC107
Gr. B
for
BC108
for
BC108
Gr. A
for
BC108
Gr. B
for
BC108
Gr. C
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
110
110
200
110
110
200
420
40
40
100
120
90
150
120
90
150
270
450
220
450
800
220
450
800
h
fe
Small Signal Current
Gain
I
C
= 2 mA
for
BC107
for
BC107
Gr. A
for
BC107
Gr. B
for
BC108
for
BC108
Gr. A
for
BC108
Gr. B
for
BC108
Gr. C
I
C
= 10 mA V
CE
= 10 V f = 100 MHz
V
CE
= 5 V
f = 1KHz
250
190
300
370
190
300
500
2
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
1 %
BC107/BC108
2/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC319 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
BC107C TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-206AA
BC107DCSM NPN
BC168A IC APEX 20KE FPGA 400K
BC168C IC FLEX 10KB FPGA 100K
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC239_98 制造商:KEC 制造商全稱(chēng):KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE
BC239A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BC239ABU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 100mA HFE/220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC239ATA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 100mA HFE/22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC239ATA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 100mA HFE/22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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