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參數(shù)資料
| 型號： | BC237 |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, LOW NOISE AMPLIFIER) |
| 中文描述： | 外延平面NPN晶體管（通用型，低噪聲放大器） |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | BC237 |
1997 Sep 04
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistors
BC237; BC237B
NOTES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC238CDU050 | NPN Silicon Darlington Power Transistor |
| BC238CDU05Z | NPN Silicon Darlington Power Transistor |
| BC238CDU060 | NPN Silicon Darlington Power Transistor |
| BC238CDU06Z | NPN Silicon Darlington Power Transistor |
| BC259B | Cyclone II FPGA 8K TQFP-144 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC237/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistor NPN |
| BC237_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors NPN Silicon |
| BC237_98 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE |
| BC237_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC237_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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