參數(shù)資料
型號： BC237
廠商： KEC Holdings
英文描述： EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, LOW NOISE AMPLIFIER)
中文描述： 外延平面NPN晶體管（通用型，低噪聲放大器）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： BC237
1997 Sep 04
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistors
BC237; BC237B
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
250
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 0.1 mA; V
CE
= 5 V; see Fig.2
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V; see Fig.2
15
5
100
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
DC current gain
BC237
BC237B
collector-emitter saturation voltage I
C
= 100 mA; I
B
= 5 mA; note 1
base-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
collector capacitance
emitter capacitance
transition frequency
noise figure
120
200
580
100
11
1.5
460
460
600
1200
700
10
V
CEsat
V
BEsat
V
BE
C
c
C
e
f
T
F
mV
mV
mV
pF
pF
MHz
dB
I
C
= 100 mA; I
B
= 5 mA
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
I
C
= 200
μ
A; V
CE
= 5 V; R
S
= 2 k
;
f = 1 kHz; B = 200 Hz
Fig.2 DC current gain; typical values.
handbook, full pagewidth
0
10
2
100
200
MBH724
10
1
hFE
1
IC (mA)
10
10
3
10
2
VCE = 5 V
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