參數(shù)資料
型號(hào): BC237
英文描述: NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述: NPN硅外延平面晶體管
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大?。?/td> 51K
代理商: BC237
1997 Sep 04
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistors
BC237; BC237B
FEATURES
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 45 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
NPN transistor in a TO-92; SOT54 plastic package.
PNP complements: BC307; BC307B.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
emitter
base
collector
Fig.1
Simplified outline (TO-92; SOT54)
and symbol.
handbook, halfpage
1
3
2
MAM182
3
2
1
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
I
CM
P
tot
h
FE
collector-base voltage
collector-emitter voltage
peak collector current
total power dissipation
DC current gain
BC237
BC237B
transition frequency
open emitter
open base
50
45
200
500
V
V
mA
mW
T
amb
25
°
C
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V
120
200
100
460
460
f
T
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
MHz
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