型號(hào): | BC237 |
英文描述: | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
中文描述: | NPN硅外延平面晶體管 |
文件頁數(shù): | 2/8頁 |
文件大?。?/td> | 51K |
代理商: | BC237 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BC237 | NPN general purpose transistors |
BC237BRL1 | Stratix FPGA 40K FBGA-1020 |
BC237BZL1 | Stratix FPGA 40K FBGA-1508 |
BC237 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, LOW NOISE AMPLIFIER) |
BC238CDU050 | NPN Silicon Darlington Power Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC237/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistor NPN |
BC237_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors NPN Silicon |
BC237_98 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE |
BC237_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC237_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |