參數(shù)資料
型號： BC237
英文描述： NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： NPN硅外延平面晶體管
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： BC237
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 06
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Sep 04
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC237; BC237B
NPN general purpose transistors
book, halfpage
M3D186
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC237 NPN general purpose transistors
BC237BRL1 Stratix FPGA 40K FBGA-1020
BC237BZL1 Stratix FPGA 40K FBGA-1508
BC237 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, LOW NOISE AMPLIFIER)
BC238CDU050 NPN Silicon Darlington Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC237/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistor NPN
BC237_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors NPN Silicon
BC237_98 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE
BC237_J35Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC237_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 45V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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