參數(shù)資料
型號(hào)： BC109
英文描述： NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： NPN硅外延平面晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： BC109
1997 Sep 03
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistors
BC107; BC108; BC109
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BC107
BC108; BC109
collector-emitter voltage
BC107
BC108; BC109
emitter-base voltage
BC107
BC108; BC109
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
50
30
V
V
V
CEO
open base
45
20
V
V
V
EBO
open collector
65
65
6
5
100
200
200
300
+150
175
+150
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
T
amb
≤
25
°
C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-c
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to case
note 1
0.5
0.2
K/mW
K/mW
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PDF描述
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