參數(shù)資料
型號： BC109
英文描述： NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： NPN硅外延平面晶體管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： BC109
1997 Sep 03
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistors
BC107; BC108; BC109
FEATURES
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 45 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
NPN transistor in a TO-18; SOT18 metal package.
PNP complement: BC177.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
emitter
base
collector, connected to the case
Fig.1
Simplified outline (TO-18; SOT18)
and symbol.
handbook, halfpage
MAM264
1
3
2
3
2
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BC107
BC108; BC109
collector-emitter voltage
BC107
BC108; BC109
peak collector current
total power dissipation
DC current gain
BC107
BC108
BC109
transition frequency
open emitter
50
30
V
V
V
CEO
open base
45
20
200
300
V
V
mA
mW
I
CM
P
tot
h
FE
T
amb
≤
25
°
C
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V
110
110
200
100
450
800
800
f
T
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
MHz
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PDF描述
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