參數(shù)資料
型號(hào)： BAW27
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Diode
中文描述： 硅外延平面二極管
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 34K
代理商： BAW27
BAW27
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
1 (3)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85548
Silicon Epitaxial Planar Diode
Features
Low forward voltage drop
High forward current capability
Applications
High speed switch and general purpose use in com-
puter and industrial applications
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Peak forward surge current
Forward current
Average forward current
Power dissipation
Test Conditions
Type
Symbol
V
RRM
V
R
I
FSM
I
F
I
FAV
P
V
P
V
T
j
T
stg
Value
75
60
4
600
300
440
500
200
–65...+200
Unit
V
V
A
mA
mA
mW
mW
C
C
t
p
=1 s
V
R
=0
l=4mm, T
L
=45 C
l=4mm, T
L
25 C
Junction temperature
Storage temperature range
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
350
Unit
K/W
l=4mm, T
L
=constant
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PDF描述
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