參數(shù)資料
型號： BAW56-GS08
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 激光器
英文描述： DIODE 0.25 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode
中文描述： Diodes (General Purpose, Power, Switching) 70 Volt 250mA
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： BAW56-GS08
BAW56
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 1.9, 16-May-13
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www.vishay.com/doc91000
1
Document Number: 85549
Small Signal Switching Diode, Dual
MECHANICAL DATA
Case:
SOT-23
Weight:
approx. 8.8 mg
Packaging codes/options:
18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box
08/3K per 7" reel (8 mm tape), 15K/box
FEATURES
Silicon epitaxial planar diode
Fast switching dual diode with common anode
AEC-Q101 qualified
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial
grade
Base P/N-HE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101
qualified
Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc99912
Note
(1)
Device on fiberglass substrate, see layout
1
3
2
PARTS TABLE
PART
ORDERING CODE
BAW56-E3-08 or BAW56-E3-18
BAW56-HE3-08 or BAW56-HE3-18
INTERNAL CONSTRUCTION
TYPE MARKING
REMARKS
BAW56
Dual diodes common anode
JD
Tape and reel
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Repetitive peak reverse voltage
= working peak reverse voltage
= DC blocking voltage
Forward continuous current
TEST CONDITION
SYMBOL
VALUE
UNIT
V
R
= V
RRM
70
V
I
F
250
2
1
0.5
350
mA
A
A
A
mW
Non repetitive peak forward current
t
p
= 1 μs
t
p
= 1 ms
t
p
= 1 s
I
FSM
I
FSM
I
FSM
P
tot
Power dissipation
(1)
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Thermal resistance junction to ambient air
Junction temperature
Storage temperature range
Operating temperature range
TEST CONDITION
SYMBOL
R
thJA
T
j
T
stg
T
op
VALUE
430
150
- 65 to + 150
- 55 to + 150
UNIT
K/W
°C
°C
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BAW56-V-GS08 DIODE 0.25 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode
BAW56-V-GS18 DIODE 0.25 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode
BAW75-TR DIODE 0.15 A, 35 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-2, Signal Diode
BAW76-TR BAW76 Small Signal Fast Switching Diode
BAW76-TAP Diode Small Signal Switching 75V 0.15A 2-Pin DO-35 Ammo
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BAW56HDW-13 功能描述:Diode Array 2 Pair Common Anode Standard 100V 250mA (DC) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:2 對共陽極 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:250mA（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
BAW56HDWQ-13 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陽極 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200mA（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2.5μA @ 75V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BAW56-HE3-08 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAW56-HE3-08 - Bulk 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAW56-HE3-08 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
BAW56-HE3-18 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAW56-HE3-18 - Bulk 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
BAW56-LFR 制造商:FRONTIER 制造商全稱:Frontier Electronics. 功能描述:DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
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