參數(shù)資料
型號(hào)： BAV105
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： High-speed diode
中文描述： 0.3 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大小： 34K
代理商： BAV105
1996 Sep 17
4
Philips Semiconductors
Product specification
High-speed diode
BAV105
GRAPHICAL DATA
Fig.2
Maximum permissible continuous forward
current as a function of ambient
temperature.
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
handbook, halfpage
IF
(mA)
0
100
200
300
200
0
100
MBG454
Tamb (
o
C)
Fig.3
Forward current as a function of forward
voltage.
handbook, halfpage
0
1
2
0
200
400
MBG457
VF (V)
IF
(mA)
(1)
(2)
(3)
(1) T
j
= 175
°
C; typical values.
(2) T
j
= 25
°
C; typical values.
(3) T
j
= 25
°
C; maximum values.
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
Based on square wave currents.
T
j
= 25
°
C prior to surge.
handbook, full pagewidth
MBG703
10
tp (
μ
s)
1
IFSM
(A)
2
10
1
10
4
10
2
10
3
10
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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BAV116HWF-7 功能描述:Diode Standard 130V 215mA (DC) Surface Mount SOD-123F 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:130V 電流 - 平均整流（Io）:215mA（DC） 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:3μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5nA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:SOD-123F 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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BAV116S92-7 功能描述:Diode Standard 85V 215mA Surface Mount SOD-923 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:85V 電流 - 平均整流（Io）:215mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:3μs 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5nA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:1.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-923 供應(yīng)商器件封裝:SOD-923 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BAV116T 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE
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