參數(shù)資料
型號： BAV105
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： High-speed diode
中文描述： 0.3 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 34K
代理商： BAV105
1996 Sep 17
2
Philips Semiconductors
Product specification
High-speed diode
BAV105
FEATURES
Small hermetically sealed glass
SMD package
High switching speed: max. 6 ns
General application
Continuous reverse voltage:
max. 60 V
Repetitive peak reverse voltage:
max. 60 V
Repetitive peak forward current:
max. 600 mA.
APPLICATIONS
High-speed switching in e.g.
surface mounted circuits.
DESCRIPTION
The BAV105 is a high-speed switching diode fabricated in planar technology,
and encapsulated in the small hermetically sealed glass SOD80C SMD
package.
Fig.1 Simplified outline (SOD80C) and symbol.
Cathode indicated by black band.
handbook, 4 columns
MAM061
k
a
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
repetitive peak reverse voltage
continuous reverse voltage
continuous forward current
repetitive peak forward current
non-repetitive peak forward current
60
60
V
V
mA
mA
see Fig.2; note 1
300
600
square wave; T
j
= 25
°
C prior to
surge; see Fig.4
t = 1
μ
s
t = 100
μ
s
t = 1 s
T
amb
= 25
°
C; note 1
9
3
1
A
A
A
mW
°
C
°
C
P
tot
T
stg
T
j
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
500
+200
200
65
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PDF描述
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