參數(shù)資料
型號： BAS81
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Schottky Barrier Diodes
中文描述： 肖特基勢壘二極管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： BAS81
1998 Jun 24
3
Philips Semiconductors
Product specification
Schottky barrier diodes
BAS81; BAS82; BAS83
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulsed test: t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.02.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Refer to SOD80 standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
V
F
forward voltage
see Fig.2
I
F
= 0.1 mA
I
F
= 1 mA
I
F
= 15 mA
V
R
= V
Rmax
; see Fig.3
f = 1 MHz; V
R
= 2 V; see Fig.4
330
mV
410
mV
1
V
nA
I
R
C
d
reverse current
200
diode capacitance
1.6
pF
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
320
K/W
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