參數(shù)資料
型號： BAS516
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： High-speed diode
中文描述： 高速二極管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 162K
代理商： BAS516
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
S29–1/2
High-speed diode
SOD523 SC-79
1
2
BAS516
2
ANODE
1
CATHODE
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
–
–
–
–
MAX.
85
75
250
500
UNIT
V
V
mA
mA
repetitive peak reverse voltage
continuous reverse voltage
continuous forward current
repetitive peak forward current
non-repetitive peak forward current
T
s
=90°C; note 1; see Fig.1
square wave; T
j
=25°C prior to
surge; see Fig.3
t =1
μ
s
t =1 ms
t =1 s
T
s
=90°C; note 1
–
–
–
–
4
1
A
A
A
0.5
500
+150
150
P
tot
T
stg
T
j
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
mW
°C
°C
-65
–
Note
1. Ts is the temperature at the soldering point of the cathode tab.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
j
=25°C unless otherwise specified.
SYMBOL
V
F
PARAMETER
forward voltage
CONDITIONS
see Fig.2 I
F
= 1 mA
MAX.
715
855
1
1.25
30
1
30
50
1
4
UNIT
mV
mV
V
V
nA
μ
A
μ
A
μ
A
pF
ns
I
F
= 10 mA
I
F
=50 mA
I
F
= 150 mA
I
R
reverse current
see Fig.4 V
R
= 25 V
V
R
=75 V
V
R
= 25 V; T
j
= 150 °C
V
R
= 75 V; T
j
= 150 °C;
f = 1 MHz; V
R
= 0; see Fig.5
when switched from I
F
=10mA to I
R
= 10mA;
R
L
= 100
; measured at I
R
= 1 mA; see Fig.6
when switched from IF = 10 mA; tr = 20 ns; see Fig.7
C
d
t
rr
diode capacitance
reverse recovery time
V
fr
forward recovery voltage
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-s
thermal resistance from unction to soldering point
Note
1. Soldering point of the cathode tab.
1.75
V
PARAMETER
CONDITIONS
note 1
VALUE
120
UNIT
K/W
FEATURES
· Ultra small plastic SMD package
· High switching speed: max. 4 ns
· Continuous reverse voltage: max. 75 V
· Repetitive peak reverse voltage: max. 85 V
· Repetitive peak forward current: max. 500 mA.
APPLICATIONS
· High-speed switching in e.g. surface mounted
circuits.
DESCRIPTION
The BAS516 is a high-speed
switching diode fabricated in
planar technology, and
encapsulated in the SOD523
(SC79) SMD plastic package.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BAS516,115 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) SW 75V 250MA HS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS516,135 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS516,315 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Diode Switching 85V 0.25A 2-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS516,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:3ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.35pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 工作溫度 - 結(jié):150°C（最大） 標準包裝:4,000
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