BSL211SPT

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

BSL211SPT
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室
82490
INFINEON
SC-74
新年份
-
一級代理全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)！

BSL211SPT
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
P-TSOP6-6
19+
-
代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

BSL211SPT
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層
5000
In?neon
TSOP-6
11+
-
100%進(jìn)口原裝正品，只做原裝

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功能描述
MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
OptiMOS™
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

BSL211SPT 技術(shù)參數(shù)

BSL211SPL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 4.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:654pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL211SPH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 4.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:654pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:P-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL211SP 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 4.7A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:654pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:P-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL207SPL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 6A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 40μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1007pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL207SPH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 6A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 40μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1007pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:P-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL305SPEH6327XTSA1 BSL306NH6327XTSA1 BSL306NL6327HTSA1 BSL307SP BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPL6327HTSA1 BSL307SPT BSL308CH6327XTSA1 BSL308CL6327HTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEL6327HTSA1 BSL314PEH6327XTSA1 BSL314PEL6327HTSA1 BSL315PL6327HTSA1 BSL316CH6327XTSA1 BSL316CL6327HTSA1 BSL372SNH6327XTSA1 BSL373SNH6327XTSA1