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BSL316CL6327HTSA1

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  • BSL316CL6327HTSA1
    BSL316CL6327HTSA1

    BSL316CL6327HTSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

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  • BSL316CL6327HTSA1
    BSL316CL6327HTSA1

    BSL316CL6327HTSA1

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Infineon

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  • 1
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • P-KANAL - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6
BSL316CL6327HTSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSL316CH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP 制造商:infineon technologies 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，OptiMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道互補(bǔ)型 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A，1.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:282pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL315PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 11μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.3nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:282pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL314PEL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:294pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSL314PEH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，OptiMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:294pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSL308PEL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 11μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:500pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSM-015G-LF BSM080D12P2C008 BSM100GB60DLC BSM100GB60DLCHOSA1 BSM120D12P2C005 BSM150GB60DLCHOSA1 BSM150GD60DLC BSM180D12P2C101 BSM180D12P3C007 BSM1-C BSM1-X BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2
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