參數資料
型號： AUIRLU024N
元件分類： JFETs
英文描述： 17 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, IPAK-3
文件頁數： 12/13頁
文件大小： 312K
代理商： AUIRLU024N
AUIRLR/U024N
8
www.irf.com
Fig 14. For N-Channel HEXFET MOSFETs
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
* VGS = 5V for Logic Level Devices
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤ 5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
VGS=10V
VDD
ISD
Driver Gate Drive
D.U.T. ISD Waveform
D.U.T. VDS Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
*
+
-
+
-
RG
VDD
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
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