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參數(shù)資料
| 型號： | AUIRLS4030TRL |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 180 A, 100 V, 0.0043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 286K |
| 代理商： | AUIRLS4030TRL |
AUIRLS/SL4030
www.irf.com
5
Fig 13. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 14. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth
Fig 15. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature
Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 14, 15:
(For further info, see AN-1005 at www.irf.com)
1. Avalanche failures assumption:
Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a temperature far in
excess of Tjmax. This is validated for every part type.
2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asTjmax is not exceeded.
3. Equation below based on circuit and waveforms shown in Figures 22a, 22b.
4. PD (ave) = Average power dissipation per single avalanche pulse.
5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for voltage increase
during avalanche).
6. Iav = Allowable avalanche current.
7.
ΔT = Allowable rise in junction temperature, not to exceed Tjmax (assumed as
25°C in Figure 14, 15).
tav = Average time in avalanche.
D = Duty cycle in avalanche = tav f
ZthJC(D, tav) = Transient thermal resistance, see Figures 13)
PD (ave) = 1/2 ( 1.3BVIav) = DT/ ZthJC
Iav = 2
DT/ [1.3BVZth]
EAS (AR) = PD (ave)tav
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
300
350
E
A
R
,A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
TOP
Single Pulse
BOTTOM 1.0% Duty Cycle
ID = 110A
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
tav (sec)
0.1
1
10
100
1000
A
va
la
nc
he
C
ur
re
nt
(A
)
0.05
Duty Cycle = Single Pulse
0.10
Allowed avalanche Current vs avalanche
pulsewidth, tav, assuming
ΔΤj = 25°C and
Tstart = 150°C.
0.01
Allowed avalanche Current vs avalanche
pulsewidth, tav, assuming
ΔTj = 150°C and
Tstart =25°C (Single Pulse)
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
he
rm
al
R
es
po
ns
e
(
Z
th
JC
)
°C
/W
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τi (sec)
0.0477
0.000071
0.1631
0.000881
0.1893
0.007457
τ
J
τ
J
τ1
τ
1
τ2
τ
2
τ
3
τ3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
C
Ci
i
/Ri
Ci=
τi/Ri
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRLSL4030 | 180 A, 100 V, 0.0043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| AUIRLS4030TRR | 180 A, 100 V, 0.0043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AWSCR-FREQ-MGS-C15-T | CERAMIC RESONATOR, 2 MHz - 8 MHz |
| AWSCR-FREQ-MGD-C15 | CERAMIC RESONATOR, 2 MHz - 8 MHz |
| AWSCR-FREQ1MS-T | CERAMIC RESONATOR, 8 MHz - 13 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AUIRLS8409-7TRL | 功能描述:MOSFET NCH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:240A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.75 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:266nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:16488pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 |
| AUIRLSL3036 | 功能描述:MOSFET 60V 270A 2.4 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| AUIRLU024N | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Advanced Planar Technology Low On-Resistance Fully Avalanche Rated |
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