參數(shù)資料
型號(hào)： AUIRLS3036-7P
元件分類： JFETs
英文描述： 240 A, 60 V, 0.0019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-7
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大?。?/td> 238K
代理商： AUIRLS3036-7P
AUIRLS3036-7P
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 11. Typical COSS Stored Energy
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 12. Maximum Avalanche Energy Vs. DrainCurrent
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I S
D
,R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
50
60
70
80
V
(B
R
)D
S
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
B
re
ak
do
w
n
V
ol
ta
ge
ID = 5mA
0
10
20
30
40
50
60
70
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
E
ne
rg
y
(μ
J)
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
1200
E
A
S
,
S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
I D
TOP
22A
37A
BOTTOM
180A
0.1
1
10
100
VDS, Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100μsec
DC
LIMITED BY PACKAGE
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
300
I D
,D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
LIMITED BY PACKAGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AUIRLS3036-7TRL 240 A, 60 V, 0.0019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB
AUIRLS3036-7TRR 240 A, 60 V, 0.0019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB
AUIRLS3036TRL 195 A, 60 V, 0.0024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
AUIRLS3036 195 A, 60 V, 0.0024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
AUIRLS3036TRR 195 A, 60 V, 0.0024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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參數(shù)描述
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