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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AUIRL7736M2TR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 22 A, 40 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-5 |
| 文件頁數(shù)： | 10/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 230K |
| 代理商： | AUIRL7736M2TR |
AUIRL7736M2TR/TR1
8
www.irf.com
DirectFET Board Footprint, M4 (Medium Size Can).
Please see AN-1035 for DirectFET assembly details and stencil and substrate design recommendations
D
DD
D
G
S
SS
S
G = GATE
D = DRAIN
S = SOURCE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRL7736M2TR1 | 22 A, 40 V, 0.003 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AUIRLR024NTRL | 17 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| AUIRLU024N | 17 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| AUIRLR024N | 17 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| AUIRLR024NTRR | 17 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AUIRL7766M2TR | 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| AUIRL7766M2TR1 | 功能描述:MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| AUIRLB4030 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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