參數(shù)資料
型號(hào)： AUIRGP35B60PD-E
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大?。?/td> 395K
代理商： AUIRGP35B60PD-E
AUIRGP35B60PD-E
4
www.irf.com
Fig. 1 - Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2 - Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3 - Reverse Bias SOA
TJ = 150°C; VGE =15V
Fig. 4 - Typ. IGBT Output Characteristics
TJ = -40°C; tp = 80s
Fig. 5 - Typ. IGBT Output Characteristics
TJ = 25°C; tp = 80s
Fig. 6 - Typ. IGBT Output Characteristics
TJ = 125°C; tp = 80s
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TC (°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
I C
(A
)
10
100
1000
VCE (V)
1
10
100
1000
I C
A
)
0123
45
VCE (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
I C
E
(A
)
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
012345
VCE (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
I C
E
(A
)
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
012
345
VCE (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
I C
E
(A
)
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TC (°C)
0
50
100
150
200
250
300
350
P
to
t(
W
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AUIRGP50B60PD1 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AC
AVT-51663-BLKG 0 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
AVT-51663-TR1G 0 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
AWE6159RM46P8 824 MHz - 849 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
AWL6153M7UQ1 2400 MHz - 2485 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AUIRGP4062D1 制造商:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE 600V ULTRAFAST COPACK TRENCH IGBT IN A TO-247AC P - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 600V 55A 217W TO247AC 制造商:International Rectifier 功能描述:Automotive 600V Ultra TO-247AC
AUIRGP4062D1-E 制造商:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE 600V ULTRAFAST COPACK TRENCH IGBT IN A TO-247AC P - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 600V 55A 217W TO247AD 制造商:International Rectifier 功能描述:Automotive 600V Ultra TO-247AC
AUIRGP4062D-E 功能描述:IGBT 晶體管 600V Auto UltraFast Copack Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
AUIRGP4063D 功能描述:IGBT 晶體管 600V CO-PACKAUTO TRENCH IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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