參數(shù)資料
型號： AUIRFS3004-7TRL
元件分類： JFETs
英文描述： 240 A, 40 V, 0.00125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-7
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 366K
代理商： AUIRFS3004-7TRL
AUIRFS3004-7P
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 11. Typical COSS Stored Energy
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 12. Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I S
D
,R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ , Temperature ( °C )
40
42
44
46
48
50
V
(B
R
)D
S
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
B
re
ak
do
w
n
V
ol
ta
ge
(V
)
Id = 5mA
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
1200
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
44A
80A
BOTTOM 240A
-5
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
E
ne
rg
y
(μ
J)
0
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
DC
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
60
120
180
240
300
360
420
I D
,
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
Limited By Package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AUIRFS3004-7P 240 A, 40 V, 0.00125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB
AUIRFS3004TRL 195 A, 40 V, 0.00175 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
AUIRFSL3004 195 A, 40 V, 0.00175 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
AUIRFS3004 195 A, 40 V, 0.00175 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
AUIRFS3004TRR 195 A, 40 V, 0.00175 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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