參數資料
型號： AUIRFR5410TRL
元件分類： JFETs
英文描述： 13 A, 100 V, 0.205 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3
文件頁數： 11/12頁
文件大?。?/td> 260K
代理商： AUIRFR5410TRL
AUIRFR5410
8
www.irf.com
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤ 5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
VGS=10V
VDD
ISD
Driver Gate Drive
D.U.T. ISD Waveform
D.U.T. VDS Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
-
RG
VDD
dv/dt controlled by RG
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
* Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
VGS
[ ]
*** VGS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
[
] ***
Fig 14. For P-Channel HEXFETS
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PDF描述
AUIRFR5410TR 13 A, 100 V, 0.205 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
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AUIRFR5505TR 功能描述:MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 110mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
AUIRFR5505TRL 功能描述:MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 110mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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