參數(shù)資料
型號(hào)： AUIRF1010EZ
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 75 A, 60 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 15/15頁(yè)
文件大?。?/td> 375K
代理商： AUIRF1010EZ
AUIRF1010EZ/S/L
www.irf.com
9
Fig 17.
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤ 5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
VGS=10V
VDD
ISD
Driver Gate Drive
D.U.T. ISD Waveform
D.U.T. VDS Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
* VGS = 5V for Logic Level Devices
*
+
-
+
-
RG
VDD
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
td(off) tf
VDS
Pulse Width ≤ 1 s
Duty Factor ≤ 0.1 %
RD
VGS
RG
D.U.T.
10V
+
-VDD
Fig 18a. Switching Time Test Circuit
Fig 18b. Switching Time Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AUIRF1010EZSTRL 75 A, 60 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AUIRF1010ZSTRL 94 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
AUIRF1010ZL 94 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
AUIRF1010ZS 94 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
AUIRF1010Z 94 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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參數(shù)描述
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AUIRF1010EZSTRR 功能描述:MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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