參數(shù)資料
型號： ATP206
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： 40 A, 40 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： HALOGEN FREE, ATPAK-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 256K
代理商： ATP206
ATP206
No. A1395-2/4
Continued from preceding page.
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=10V, ID=1mA
1.5
2.6
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=10V, ID=20A
915
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=20A, VGS=10V
12
16
mΩ
RDS(on)2
ID=10A, VGS=4.5V
20
28
mΩ
Input Capacitance
Ciss
VDS=20V, f=1MHz
1630
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=20V, f=1MHz
205
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=20V, f=1MHz
110
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
19
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
110
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
83
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
73
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=20V, VGS=10V, ID=40A
27
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=20V, VGS=10V, ID=40A
7.0
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=20V, VGS=10V, ID=40A
5.2
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=40A, VGS=0V
0.99
1.2
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7057-001
Switching Time Test Circuit
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : ATPAK
0.7
0.4
0.55
9.5
7.3
0.5
1.7
4.6
6.05
13
2
6.5
0.6
4
0.8
0.5
1.5
0.4
2.6
4.6
0.4
0.1
2.3
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID=20A
RL=1Ω
VDD=20V
VOUT
ATP206
VIN
10V
0V
VIN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ATP208 90 A, 40 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP208 90 A, 40 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP214TL 75 A, 60 V, 0.0081 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP214 75 A, 60 V, 0.0081 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP214 75 A, 60 V, 0.0081 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ATP206_12 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP206-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
ATP207 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
ATP207_12 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP207-S-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購買時間 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片） 供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:3,000
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*