參數(shù)資料
型號(hào)： ATF-531P8-TR2G
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
封裝： 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, PLASTIC, LPCC-8
文件頁(yè)數(shù)： 12/16頁(yè)
文件大?。?/td> 142K
代理商： ATF-531P8-TR2G
5
ATF-531P8 Typical Performance Curves (at 25
°C unless specified otherwise)
Tuned for Optimal OIP3
Note:
Bias current for the above charts are quiescent
conditions. Actual level may increase or
decrease depending on amount of RF drive. The
objective of load pull is to optimize OIP3 and
therefore may trade-off Small Signal Gain, P1dB
and VSWR.
Figure 8. OIP3 vs. Ids and Vds at 900 MHz.
3V
4V
5V
Ids (mA)
45
40
35
30
25
20
75
180
105
90
135
150
165
120
OIP3
(dBm)
Figure 9. OIP3 vs. Ids and Vds at 2 GHz.
3V
4V
5V
Ids (mA)
45
40
35
30
25
20
75
180
105
90
135
150
165
120
OIP3
(dBm)
Figure 10. OIP3 vs. Ids and Vds at 3.9 GHz.
3V
4V
5V
Ids (mA)
45
40
35
30
25
20
75
180
105
90
135
150
165
120
OIP3
(dBm)
Figure 11. Small Signal Gain vs. Ids and Vds
at 900 MHz.
3V
4V
5V
Ids (mA)
17
16
15
14
13
12
11
10
75
180
105
90
135
150
165
120
GAIN
(dB)
Figure 12. Small Signal Gain vs. Ids and Vds
at 2 GHz.
3V
4V
5V
Ids (mA)
17
16
15
14
13
12
11
10
75
180
105
90
135
150
165
120
GAIN
(dB)
Figure 13. Small Signal Gain vs. Ids and Vds
at 3.9 GHz.
3V
4V
5V
Ids (mA)
12
10
8
6
4
2
0
75
180
105
90
135
150
165
120
GAIN
(dB)
Figure 14. P1dB vs. Idq and Vds at 900 MHz.
3V
4V
5V
Idq (mA)
30
25
20
15
10
75
180
105
90
135
150
165
120
P1dB
(dBM)
Figure 15. P1dB vs. Idq and Vds at 2 GHz.
3V
4V
5V
Idq (mA)
30
25
20
15
10
75
180
105
90
135
150
165
120
P1dB
(dBM)
Figure 16. P1dB vs. Idq and Vds at 3.9 GHz.
3V
4V
5V
Idq (mA)
30
25
20
15
10
75
180
105
90
135
150
165
120
P1dB
(dBM)
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PDF描述
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