參數(shù)資料
型號(hào)： ATF-531P8-TR1
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
封裝： 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, DFP-N, LCC-8
文件頁(yè)數(shù)： 10/15頁(yè)
文件大?。?/td> 248K
代理商： ATF-531P8-TR1
4
Gamma Load and Source at Optimum OIP3 Tuning Conditions
The device’s optimum OIP3 measurements were determined using a Maury load pull system at 4V, 135 mA quiesent
bias. The gamma load and source over frequency are shown in the table below:
Figure 7. Simplified schematic of production test board. Primary purpose is to show 15 Ohm series resistor placement in gate supply. Transmis-
sion line tapers, tee intersections, bias lines and parasitic values are not shown.
RF Input
3.3 pF
4.7 pF
RF Output
50 Ohm
.02
λ
110 Ohm
.03
λ
110 Ohm
.03
λ
50 Ohm
.02
λ
DUT
2.2 pF
22 nH
15 Ohm
100 pF
Gate
DC Supply
12 nH
2.2
F
Drain
DC Supply
Freq
Gamma Source
Gamma Load
OIP3
Gain
P1dB
PAE
(GHz)
Mag
Ang
Mag
Ang
(dBm)
(dB)
(dBm)
(%)
0.9
0.616
37.1
0.249
130.0
40.3
16.5
23.4
43.2
2.0
0.310
34.5
0.285
168.3
41.5
13.4
24.8
51.9
3.9
0.421
167.5
0.437
161.6
41.5
10.5
24.7
42.8
5.8
0.402
162.8
0.418
134.1
41.0
7.9
24.7
36.6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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