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參數(shù)資料
| 型號： | ATF-511P8-TR2G |
| 廠商： | AGILENT TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封裝： | 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LPCC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 5/16頁 |
| 文件大小： | 139K |
| 代理商： | ATF-511P8-TR2G |
13
2 x 2 LPCC (JEDEC DFP-N) Package Dimensions
Ordering Information
Part Number
No. of Devices
Container
ATF-511P8-TR1
3000
7” Reel
ATF-511P8-TR2
10000
13”Reel
ATF-511P8-BLK
100
antistatic bag
Device Models
Refer to Agilent’s Web Site
www.agilent.com/view/rf
D
E
8
7
6
5
A
D1
E1
P
e
pin1
R
L
b
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS
DIMENSIONS
MIN.
0.70
0
0.203 REF
0.225
1.9
0.65
1.9
1.45
0.50 BSC
0.20
0.35
NOM.
0.75
0.02
0.203 REF
0.25
2.0
0.80
2.0
1.6
0.50 BSC
0.25
0.40
MAX.
0.80
0.05
0.203 REF
0.275
2.1
0.95
2.1
1.75
0.50 BSC
0.30
0.45
SYMBOL
A
A1
A2
b
D
D1
E
E1
e
P
L
1
pin1
2
3
4
1PX
Top View
End View
Side View
Bottom View
A2
A
A1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-511P8-BLK | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| ATF-511P8-TR1 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| ATF-511P8-TR2 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| ATF-511P8-TR1G | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ATF-52189-BLK | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-52189-TR1 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-52189-TR2 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Hi gh Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-521P8 | 制造商:AVAGO 制造商全稱:AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 功能描述:High Linearity Enhancement Mode[1] Pseudomorphic 2x2 mm2 LPCC[3] Package |
| ATF-521P8-BLK | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
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