參數(shù)資料
型號： ATF-511P8-TR2G
廠商： AGILENT TECHNOLOGIES INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, LPCC-8
文件頁數(shù)： 4/16頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： ATF-511P8-TR2G
12
ATF-511P8 Typical Scattering Parameters, VDS = 3V, IDS = 200 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
dB
0.1
0.95
-137.1
29.51
29.89
109.9
-36.88
0.01
25.2
0.78
-166.0
33.29
0.2
0.94
-159.0
23.89
15.65
98.7
-36.27
0.01
19.8
0.81
-174.5
30.18
0.3
0.94
-167.3
20.46
10.54
93.8
-36.20
0.01
18.0
0.82
-177.6
28.47
0.4
0.94
-172.0
18.04
7.98
90.7
-35.82
0.01
20.5
0.83
179.4
26.98
0.5
0.93
-175.3
16.10
6.38
88.7
-35.59
0.01
22.4
0.83
177.6
25.75
0.6
0.93
-176.8
15.36
5.86
85.9
-34.34
0.01
24.0
0.81
176.3
24.89
0.7
0.93
-178.7
14.14
5.09
84.2
-34.27
0.01
24.8
0.81
174.6
24.28
0.8
0.93
179.1
12.87
4.4
82.6
-34.12
0.02
27.1
0.81
173.1
23.42
0.9
0.93
177.3
11.82
3.89
80.6
-33.66
0.02
29.1
0.81
171.7
22.69
1
0.93
176.1
10.91
3.51
78.9
-33.55
0.02
29.3
0.81
170.7
22.23
1.5
0.93
169.4
7.24
2.30
71.8
-31.97
0.02
35.4
0.81
164.6
19.64
2
0.93
164.0
4.75
1.72
64.7
-30.60
0.03
38.5
0.81
158.5
16.34
2.5
0.93
159.1
2.73
1.36
58.5
-29.39
0.03
38.5
0.81
153.4
14.08
3
0.92
154.0
0.93
1.11
51.6
-28.15
0.03
37.4
0.80
147.6
11.72
4
0.93
144.8
-1.58
0.83
38.7
-26.26
0.04
33.1
0.78
135.8
9.24
5
0.92
135.2
-3.78
0.64
27.3
-24.91
0.05
27.7
0.74
125.0
6.28
6
0.93
126.0
-5.54
0.52
17.2
-24.05
0.06
22.1
0.68
115.6
4.39
7
0.91
116.6
-7.07
0.44
10.5
-23.11
0.07
17.2
0.63
110.7
1.96
8
0.91
107.4
-7.66
0.41
2.06
-22.08
0.07
12.1
0.62
106.3
1.32
9
0.90
98.4
-8.06
0.39
-5.6
-21.04
0.08
5.0
0.63
99.5
0.60
10
0.92
89.0
-8.99
0.35
-15.9
-20.23
0.09
-2.7
0.64
89.8
0.49
11
0.92
79.5
-9.12
0.35
-25.8
-19.45
0.10
-12.4
0.66
78.7
0.19
12
0.91
70.1
-9.28
0.34
-35.9
-19.08
0.11
-21.4
0.68
66.3
-0.19
13
0.91
61.9
-9.71
0.32
-39.9
-18.93
0.11
-29.2
0.69
56.4
-0.68
14
0.92
51.8
-10.04
0.31
-54.7
-18.89
0.11
-35.6
0.70
47.9
-0.40
15
0.88
44.1
-10.01
0.31
-59.8
-18.63
0.11
-40.7
0.72
39.0
-1.57
16
0.87
36.4
-10.16
0.31
-77.5
-18.83
0.11
-44.7
0.73
35.3
-1.85
17
0.83
30.1
-10.61
0.31
-87.2
-18.17
0.12
-51.2
0.74
27.7
-2.42
18
0.85
24.0
-11.96
0.25
-97.4
-17.69
0.13
-58.3
0.75
18.3
-3.71
Figure 36. MSG/MAG & |S21|
2 (dB)
@ 3V, 200 mA.
FREQUENCY (GHz)
40
30
20
10
0
-10
-20
0
5
10
15
20
MSG/MAG
&
|S21|
2
(dB)
S21
MAG
MSG
Notes:
1. S parameter is measured on a microstrip line
made on 0.025 inch thick alumina carrier. The
input reference plane is at the end of the gate
lead. The output reference plane is at the end
of the drain lead.
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