參數(shù)資料
型號： ATF-38143-BLKG
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, SC-70, 4 PIN
文件頁數(shù)： 12/13頁
文件大?。?/td> 452K
代理商： ATF-38143-BLKG
8
ATF-38143 Typical Noise Parameters
VDS = 2 V, IDS = 20 mA
Freq.
Fmin
Γopt
Rn/50
Ga
GHz
dB
Mag.
Ang.
-
dB
0.5
0.15
0.71
13
0.13
24.8
0.9
0.16
0.68
22
0.12
21.4
1.0
0.16
0.66
26
0.12
21.0
1.5
0.18
0.60
43
0.09
19.0
1.8
0.20
0.55
55
0.09
18.0
2.0
0.22
0.51
68
0.09
16.9
2.5
0.28
0.48
82
0.08
15.5
3.0
0.33
0.46
100
0.06
14.7
4.0
0.45
0.37
133
0.05
12.6
5.0
0.56
0.39
172
0.04
11.4
6.0
0.65
0.40
-159
0.04
10.2
7.0
0.72
0.44
-129
0.08
9.3
8.0
0.82
0.48
-100
0.15
8.3
9.0
0.90
0.52
-79
0.26
7.5
10.0
1.00
0.60
-61
0.40
7.3
FREQUENCY (GHz)
Figure 20. MSG/MAG and |S21|2 vs. Frequency at 2 V, 20 mA.
MSG/MAG
and
S
21
(dB)
0
4
2
8
14 16
10 12
6
18
MSG
MAG
S21
25
20
15
10
5
0
-5
-10
Notes:
1. Fminvaluesarebasedonasetof16noisefiguremeasurementsmadeat16differentimpedancesusinganATNNP5testsystem.Fromthese
measurementsatrueFminiscalculated.Refertothenoiseparameterapplicationsectionformoreinformation.
2. Sandnoiseparametersaremeasuredonamicrostriplinemadeon0.025inchthickaluminacarrier.Theinputreferenceplaneisattheend
ofthegatelead.Theoutputreferenceplaneisattheendofthedrainlead.Theparametersincludetheeffectoffourplatedthroughviaholes
connectingsourcelandingpadsontopofthetestcarriertothemicrostripgroundplaneonthebottomsideofthecarrier.Two0.020inch
diameterviaholesareplacedwithin0.010inchfromeachsourceleadcontactpoint,oneviaoneachsideofthatpoint.
ATF-38143 Typical Scattering Parameters, VDS = 2 V, IDS = 20 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
(GHz)
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
(dB)
0.5
0.96
-33
19.50
9.436
155
-28.87
0.036
71
0.39
-33
24.18
0.8
0.91
-53
18.94
8.850
141
-25.19
0.055
60
0.37
-50
22.07
1.0
0.88
-65
18.51
8.425
132
-23.74
0.065
54
0.35
-63
21.13
1.5
0.79
-93
17.23
7.269
113
-21.41
0.085
41
0.31
-90
19.32
1.8
0.75
-109
16.41
6.616
103
-20.63
0.093
34
0.29
-106
18.52
2.0
0.73
-119
15.88
6.220
97
-20.26
0.097
30
0.29
-116
18.07
2.5
0.68
-140
14.52
5.321
83
-19.58
0.105
21
0.27
-139
17.05
3.0
0.66
-159
13.26
4.604
70
-19.09
0.111
14
0.27
-157
16.18
4.0
0.64
172
11.16
3.616
49
-18.49
0.119
2
0.28
174
14.83
5.0
0.64
147
9.52
2.992
30
-17.99
0.126
-9
0.29
151
13.76
6.0
0.66
124
8.12
2.548
11
-17.52
0.133
-20
0.31
129
12.82
7.0
0.68
103
6.77
2.179
-8
-17.33
0.136
-32
0.34
107
11.08
8.0
0.71
83
5.41
1.864
-25
-17.39
0.135
-43
0.37
87
9.34
9.0
0.73
65
4.25
1.632
-41
-17.27
0.137
-53
0.40
73
8.33
10.0
0.76
50
3.39
1.478
-57
-16.95
0.142
-63
0.44
61
7.91
11.0
0.80
34
2.27
1.299
-74
-16.89
0.143
-76
0.50
44
7.63
12.0
0.83
18
1.11
1.136
-90
-17.14
0.139
-87
0.55
28
7.20
13.0
0.85
6
-0.26
0.971
-106
-17.72
0.130
-98
0.58
11
6.20
14.0
0.86
-5
-1.51
0.840
-120
-18.13
0.124 -107
0.62
-4
5.32
15.0
0.88
-19
-2.69
0.734
-134
-18.42
0.120 -118
0.67
-13
5.01
16.0
0.89
-32
-3.80
0.646
-147
-18.79
0.115 -127
0.69
-24
4.34
17.0
0.89
-42
-4.91
0.568
-161
-19.02
0.112 -138
0.71
-36
3.57
18.0
0.90
-52
-6.29
0.485
-173
-19.83
0.102 -146
0.74
-46
2.94
相關PDF資料
PDF描述
ATF-38143-TR1G X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-50189-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-50189-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-50189-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-50189-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
ATF-38143-BLKG 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR
ATF-38143-TR1 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:Low Noise Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package
ATF-38143-TR1G 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Low Noise RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
ATF-38143-TR2 制造商:Avago Technologies 功能描述:TRANSISTOR,HEMT,N-CHAN,4.5V V(BR)DSS,90mA I(DSS),SOT-343R
ATF-38143-TR2G 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs Low Noise RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*