參數(shù)資料
型號： AT29BV010A-30TI
廠商： ATMEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 1 Megabit 128K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash
中文描述： 128K X 8 FLASH 2.7V PROM, 300 ns, PDSO32
封裝： 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 490K
代理商： AT29BV010A-30TI
Program Cycle Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
BLC
t
WPH
Write Cycle Time
20
ms
Address Set-up Time
10
ns
Address Hold Time
100
ns
Data Set-up Time
100
ns
Data Hold Time
10
ns
Write Pulse Width
200
ns
μ
s
ns
Byte Load Cycle Time
150
Write Pulse Width High
200
Software Protected Program Waveform
Notes: 1. OE must be high when WE and CE are both low.
2. A7 through A16 must specify the sector address
during each high to low transition of WE (or CE)
after the software code has been entered.
Programming Algorithm
3.
All bytes that are not loaded within the sector being
programmed will be indeterminate.
LOAD DATA
TO
SECTOR (128 BYTES)
(3)
LOAD DATA A0
TO
ADDRESS 5555
LOAD DATA 55
TO
ADDRESS 2AAA
LOAD DATA AA
TO
ADDRESS 5555
Notes for software program code:
1. Data Format: I/O7 - I/O0 (Hex);
Address Format: A14 - A0 (Hex).
2. Data Protect state will be re-activated at end of program
cycle.
3. 128-bytes of data
MUST BE
loaded.
ENTER DATA
PROTECT STATE (2)
WRITES ENABLED
(1)
AT29BV010A
4-9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT29BV010A 128K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory(128K x 8單電源2.7V Battery-Voltage技術(shù)閃速存儲器)
AT29BV020-35JI 2 Megabit 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory
AT29BV020-35TC 2 Megabit 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory
AT29BV020-35TI 2 Megabit 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory
AT29BV020-25 2 Megabit 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory
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AT29BV020-12JI 功能描述:閃存 2M (256K X 8) 2.7V- 120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
AT29BV020-12JU 功能描述:閃存 Parallel 閃存 120NS, GR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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