參數(shù)資料
型號： AT29BV010A-30TC
廠商： ATMEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 1 Megabit 128K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash
中文描述： 128K X 8 FLASH 2.7V PROM, 300 ns, PDSO32
封裝： 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 490K
代理商： AT29BV010A-30TC
AC Read Characteristics
AT29BV010A-20
AT29BV010A-25
AT29BV010A-30
Symbol
t
ACC
t
CE
(1)
t
OE
(2)
t
DF
(3, 4)
Parameter
Address to Output Delay
CE to Output Delay
OE to Output Delay
CE or OE to Output Float
Output Hold from OE, CE or
Address, whichever occurred first
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
ns
ns
ns
ns
200
200
100
50
250
250
120
60
300
300
150
75
0
0
0
0
0
0
t
OH
0
0
0
ns
AC Read Waveforms
Notes: 1. CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address
transition without impact on t
ACC
.
2. OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling
edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change without impact on t
ACC
.
3. t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first
(C
L
= 5 pF).
4. This parameter is characterized and is not 100% tested.
t
R
, t
F
< 5 ns
Input Test Waveforms and Measurement Level
Output Test Load
Pin Capacitance
(f = 1 MHz, T = 25°C)
(1)
Typ
4
8
Max
6
12
Units
pF
pF
Conditions
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
C
IN
C
OUT
Note:
1. These parameters are characterized and not 100% tested.
AT29BV010A
4-7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT29BV010A-30TI 1 Megabit 128K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash
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AT29BV020-35TC 2 Megabit 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory
AT29BV020-35TI 2 Megabit 256K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory
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AT29BV020-12JI 功能描述:閃存 2M (256K X 8) 2.7V- 120NS IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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