參數(shù)資料
型號: AT28LV010-20TI
廠商: ATMEL CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
中文描述: 128K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDSO32
封裝: 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大小: 498K
代理商: AT28LV010-20TI
AT28LV010-20
AT28LV010-25
Symbol
t
ACC
t
CE (1)
t
OE (2)
t
DF
(3, 4)
Parameter
Address to Output Delay
CE to Output Delay
OE to Output Delay
CE or OE to Output Float
Output Hold from OE, CE or
Address, whichever occurred
first
Min
Max
Min
Max
Units
ns
ns
ns
ns
200
200
80
55
250
250
100
60
0
0
0
0
t
OH
0
0
ns
AC Read Characteristics
Notes: 1. CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address
transition without impact on t
ACC
.
2. OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling
edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change without impact on t
ACC
.
3. t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first
(C
L
= 5pF).
4. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AC Read Waveforms
(1, 2, 3, 4)
t
R
, t
F
< 5 ns
Input Test Waveforms and
Measurement Level
Output Test Load
Typ
4
8
Max
6
12
Units
pF
pF
Conditions
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
C
IN
C
OUT
Pin Capacitance
(f = 1 MHz, T = 25°C)
(1)
Note:
1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AT28LV010
2-159
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AT28LV010-25 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28LV010-25JC 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28LV010-25JI 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28LV010-25PC 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
AT28LV010-25PI 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AT28LV010-20TU 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 1M 3V SDP - 200NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
AT28LV010-20TU SL319 制造商:Atmel Corporation 功能描述:PARALLEL EEPROM, 1M (128K X 8), 3V, SDP - 200NS, TSOP, IND T - Trays
AT28LV010-20TU SL383 制造商:Atmel Corporation 功能描述:EEPROM PARALLEL 1MBIT 128KX8 3.3V 32TSOP-I - Tape and Reel
AT28LV010-20TU-235 功能描述:IC EEPROM 1MBIT 200NS 32TSOP 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:EEPROM 技術(shù):EEPROM 存儲容量:1Mb (128K x 8) 寫周期時間 - 字,頁:10ms 訪問時間:200ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:32-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商器件封裝:32-TSOP 標準包裝:1
AT28LV010-20TU-319 功能描述:IC EEPROM 1MBIT 200NS 32TSOP 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:EEPROM 技術(shù):EEPROM 存儲容量:1Mb (128K x 8) 寫周期時間 - 字,頁:10ms 訪問時間:200ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:32-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商器件封裝:32-TSOP 標準包裝:156