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參數(shù)資料
| 型號： | AT28LV010-20TI |
| 廠商： | ATMEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| 中文描述： | 128K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32 |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 498K |
| 代理商： | AT28LV010-20TI |
AT28LV010
1 Megabit
(128K x 8)
Low Voltage
Paged CMOS
E
2
PROM
Features
Single 3.3V
±
10% Supply
Fast Read Access Time - 200 ns
Automatic Page Write Operation
Internal Address and Data Latches for 128-Bytes
Internal Control Timer
Fast Write Cycle Time
Page Write Cycle Time - 10 ms Maximum
1 to 128-Byte Page Write Operation
Low Power Dissipation
15 mA Active Current
20
μ
A CMOS Standby Current
Hardware and Software Data Protection
DATA Polling for End of Write Detection
High Reliability CMOS Technology
Endurance: 100,000K Cycles
Data Retention: 10 Years
JEDEC Approved Byte-Wide Pinout
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Description
The AT28LV010 is a high-performance 3-volt only Electrically Erasable and Program-
mable Read Only Memory. Its 1 megabit of memory is organized as 131,072 words
by 8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the
device offers access times to 200 ns with power dissipation of just 54 mW. When the
device is deselected, the CMOS standby current is less than 20
μ
A.
Pin Configurations
(continued)
PDIP
Top View
Pin Name
Function
A0 - A16
Addresses
CE
Chip Enable
OE
Output Enable
WE
Write Enable
I/O0 - I/O7
Data
Inputs/Outputs
NC
No Connect
DC
Don’t Connect
TSOP
Top View
PLCC
Top View
0395A
AT28LV010
2-155
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT28LV010-25 | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28LV010-25JC | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28LV010-25JI | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28LV010-25PC | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28LV010-25PI | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AT28LV010-20TU | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 1M 3V SDP - 200NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28LV010-20TU SL319 | 制造商:Atmel Corporation 功能描述:PARALLEL EEPROM, 1M (128K X 8), 3V, SDP - 200NS, TSOP, IND T - Trays |
| AT28LV010-20TU SL383 | 制造商:Atmel Corporation 功能描述:EEPROM PARALLEL 1MBIT 128KX8 3.3V 32TSOP-I - Tape and Reel |
| AT28LV010-20TU-235 | 功能描述:IC EEPROM 1MBIT 200NS 32TSOP 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:EEPROM 技術(shù):EEPROM 存儲容量:1Mb （128K x 8） 寫周期時間 - 字，頁:10ms 訪問時間:200ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:32-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| AT28LV010-20TU-319 | 功能描述:IC EEPROM 1MBIT 200NS 32TSOP 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:EEPROM 技術(shù):EEPROM 存儲容量:1Mb （128K x 8） 寫周期時間 - 字，頁:10ms 訪問時間:200ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TC） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:32-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:156 |
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