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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AT28LV010-20PC |
| 廠商： | ATMEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| 中文描述： | 128K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDIP32 |
| 封裝： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 498K |
| 代理商： | AT28LV010-20PC |
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
BLC
t
WPH
Write Cycle Time
10
ms
Address Set-up Time
0
ns
Address Hold Time
100
ns
Data Set-up Time
100
ns
Data Hold Time
10
ns
Write Pulse Width
200
ns
μ
s
ns
Byte Load Cycle Time
150
Write Pulse Width High
100
Software Protected Write Characteristics
Software Protected Program Cycle Waveforms
(1, 2, 3)
Notes: 1. A0 - A14 must conform to the addressing sequence for the first 3-bytes as shown above.
2. After the command sequence has been issued and a page write operation follows, the page address inputs (A7 - A16)
must be the same for each high to low transition of WE (or CE).
3. OE must be high only when WE and CE are both low.
LOAD LAST BYTE
TO
LAST ADDRESS
(3)
LOAD DATA A0
TO
ADDRESS 5555
LOAD DATA 55
TO
ADDRESS 2AAA
LOAD DATA AA
TO
ADDRESS 5555
Notes:
1. Data Format: I/O7 - I/O0 (Hex);
Address Format: A14 - A0 (Hex).
2. Data protect state will be re-activated at the end of program
cycle.
3. 1 to 128-bytes of data are loaded.
ENTER DATA
PROTECT STATE
WRITES ENABLED
(2)
Programming Algorithm
LOAD DATA XX
TO
ANY ADDRESS
(3)
AT28LV010
2-161
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT28LV010-20PI | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28LV010-20TC | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28LV010-20TI | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28LV010-25 | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
| AT28LV010-25JC | 64K 8K x 8 Battery-Voltage CMOS E2PROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AT28LV010-20PI | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 1M 3V SDP- 200NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28LV010-20PU | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 3V 200ns RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28LV010-20TA | 功能描述:IC EEPROM 1MBIT 200NS 32TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| AT28LV010-20TC | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 1M 3V SDP- 200NS COM TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| AT28LV010-20TI | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 1M 3V SDP- 200NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
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